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SQJ941EP
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
1.6
I D = 9 A
100
1.4
1.2
V GS = 10 V
10
1
T J = 150 °C
1.0
0.8
0.1
0.01
T J = 25 °C
0.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.001
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0.15
0.12
0.09
0.06
0.03
0.00
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 150 °C
T J = 25 °C
1.1
0.8
0.5
0.2
- 0.1
- 0.4
V SD - Source-to-Drain V oltage ( V )
Source Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
I D = 5 mA
0
2 4 6 8
10
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
175
V GS - Gate-to-Source V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 30
- 32
- 34
- 36
- 38
- 40
I D = 1 mA
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Junction Temperature (°C)
BVDSS vs. Junction Temperature
S12-1848-Rev. C, 30-Jul-12
4
Document Number: 65546
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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